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In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格的X射线衍射研究

文献类型:期刊论文

作者钟福民 ; 陈京一
刊名应用科学学报
出版日期1991
期号02
ISSN号0255-8297
中文摘要<正>一、引言 超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后,又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。 一般分析一维超晶格的结构或外延薄膜的常用方法是双晶衍射方法以及X射线低角度衍射法。在此我们用常规的X射线衍射仪法,对In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格进行实验分析,得到了存在超晶格结构信息的衍射谱线,并用运动
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103985]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
钟福民,陈京一. In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格的X射线衍射研究[J]. 应用科学学报,1991(02).
APA 钟福民,&陈京一.(1991).In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格的X射线衍射研究.应用科学学报(02).
MLA 钟福民,et al."In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格的X射线衍射研究".应用科学学报 .02(1991).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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