InAlAs／InGaAsMSM光电探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张永刚 ; 陈建新 ; 任尧成 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 10074252 |
| 中文摘要 | 采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压下暗电流小于２０ｎＡ，对应的暗电流密度为３ｐＡ／μｍ￣２，优于已有的文献报导；器件的瞬态响应中上升时间小于２０ｐｓ，半高全宽小于４０ｐｓ，器件性能表明用此套ＧＳＭＢＥ系统在优化生长条件下生长的ＩｎＰ系材料质量良好，在外延层晶体质量，本底杂质浓度及界面质量等方面已达到较高水 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103987]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永刚,陈建新,任尧成,等. InAlAs／InGaAsMSM光电探测器[J]. 功能材料与器件学报,1995(01). |
| APA | 张永刚,陈建新,任尧成,&李爱珍.(1995).InAlAs／InGaAsMSM光电探测器.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 张永刚,et al."InAlAs／InGaAsMSM光电探测器".功能材料与器件学报 .01(1995). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。