InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨易 ; 施惠英 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 势垒加强层 InGaAs MSM-PD/FET 单片集成 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 其他题名 | T1 InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展 |
| 中文摘要 | 本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103992]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨易,施惠英. InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展[J]. 半导体光电,1993(03). |
| APA | 杨易,&施惠英.(1993).InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展.半导体光电(03). |
| MLA | 杨易,et al."InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展".半导体光电 .03(1993). |
入库方式： OAI收割
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