InGaAsP/InP边发光管特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张桂成 ; 徐少华 ; 程宗权 ; 陈瑞璋 ; 龚连根 ; 杨林宝 |
| 刊名 | 发光与显示
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 用液相外延技术生长的外延片,制成了SiO_2条形限制的InGaAsP/InP边发光管,100mA下光功率1mW,最高值1.3mW,发射波1.31μm,半宽860A。研究了外延材料特性(如p-n结位置,有源层厚度和浓度)对器件光功率,光谱特性,和Ⅰ-Ⅴ特性的影响。有源层厚度(d)对光功率和光谱半宽有重要影响,p-n结不偏位的器件,光谱特性为单一的长波长发射蜂,具有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。p-n偏离有源层的器件,光谱特性除长波长发射峰外,尚有9700A的InP发射峰,其Ⅰ-Ⅴ特性具有异常特性,导通电压>0.9V。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103993]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张桂成,徐少华,程宗权,等. InGaAsP/InP边发光管特性的研究[J]. 发光与显示,1985(01). |
| APA | 张桂成,徐少华,程宗权,陈瑞璋,龚连根,&杨林宝.(1985).InGaAsP/InP边发光管特性的研究.发光与显示(01). |
| MLA | 张桂成,et al."InGaAsP/InP边发光管特性的研究".发光与显示 .01(1985). |
入库方式： OAI收割
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