InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵春华 ; 朱祖华 ; 陈抗生 ; 杨易 ; 王惠民 ; 程宗权 ; 陈兴国 ; 胡雄伟 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | K1 集成光学器件 凹面光栅 罗兰圆 波分复用 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 其他题名 | T1 InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件 |
| 中文摘要 | 报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件，器件刻蚀在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平板波导上，通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离，光的输入输出耦合由波导阵列来完成，器件的工作波长在１．５μｍ附近，通道间隔约４．３ｎｍ，本文给出了器件的设计方法、制作工艺和初步测试结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103994]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵春华,朱祖华,陈抗生,等. InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件[J]. 半导体光电,1998(01). |
| APA | 赵春华.,朱祖华.,陈抗生.,杨易.,王惠民.,...&胡雄伟.(1998).InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件.半导体光电(01). |
| MLA | 赵春华,et al."InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件".半导体光电 .01(1998). |
入库方式： OAI收割
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