InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张桂成 ; 水海龙 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | <正> 一、引 言 石英光纤在1.0～1.7μm范围有低损耗和低色散,因此长波长光纤通信是近年来发展较快的领域.为了使长波长光通信系统实用化,研究可作为这一系统光源用的 InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性,具有现实意义. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103997]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张桂成,水海龙. InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性[J]. 半导体学报,1983(01). |
| APA | 张桂成,&水海龙.(1983).InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性.半导体学报(01). |
| MLA | 张桂成,et al."InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性".半导体学报 .01(1983). |
入库方式： OAI收割
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