InGaAsP相位调制器的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邬祥生 ; 李允平 ; 吴学海 ; 吕章德 ; 龚连根 ; 周萍 ; 吴长川 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104002]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邬祥生,李允平,吴学海,等. InGaAsP相位调制器的研究[J]. 半导体学报,1990(04). |
| APA | 邬祥生.,李允平.,吴学海.,吕章德.,龚连根.,...&吴长川.(1990).InGaAsP相位调制器的研究.半导体学报(04). |
| MLA | 邬祥生,et al."InGaAsP相位调制器的研究".半导体学报 .04(1990). |
入库方式： OAI收割
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