InP单晶片研磨抛光质量的检测
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨易 ; 唐嫱妹 ; 邬祥生 |
| 刊名 | 上海金属.有色分册
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| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1005-2046 |
| 中文摘要 | <正> InP单晶是制作长波长光源器件和光电探测器的衬底材料,在微波领域的应用也已经取得了显著进展,在未来新能源中,它又是一种很有希望的太阳电池的材料。为制作以上器件,InP单晶衬底片的制备是极为重要的。一制备工艺 1.研磨单晶切割时,由于机械的振动和切割刀片上金刚砂的摩擦,使单晶片表面下有一定深度的损伤。损伤程度受切割机转速、机械振动和刀片质量等影响,一般为几十微米。为了消除切割留下的刀痕和损伤层,需要进 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104007]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨易,唐嫱妹,邬祥生. InP单晶片研磨抛光质量的检测[J]. 上海金属.有色分册,1984(04). |
| APA | 杨易,唐嫱妹,&邬祥生.(1984).InP单晶片研磨抛光质量的检测.上海金属.有色分册(04). |
| MLA | 杨易,et al."InP单晶片研磨抛光质量的检测".上海金属.有色分册 .04(1984). |
入库方式： OAI收割
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