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InP欧姆接触研究

文献类型:期刊论文

作者吴鼎芬 ; 王德宁 ; 张俊
刊名应用科学学报
出版日期1987
期号01
ISSN号0255-8297
中文摘要按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρo值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,Po与载流子浓度(10~(18)~10~(21)cm~(-3))关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型In
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104009]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴鼎芬,王德宁,张俊. InP欧姆接触研究[J]. 应用科学学报,1987(01).
APA 吴鼎芬,王德宁,&张俊.(1987).InP欧姆接触研究.应用科学学报(01).
MLA 吴鼎芬,et al."InP欧姆接触研究".应用科学学报 .01(1987).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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