InP欧姆接触研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; 王德宁 ; 张俊 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρo值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3～1.0eV,Po与载流子浓度(10~(18)～10~(21)cm~(-3))关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型In |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104009]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,王德宁,张俊. InP欧姆接触研究[J]. 应用科学学报,1987(01). |
| APA | 吴鼎芬,王德宁,&张俊.(1987).InP欧姆接触研究.应用科学学报(01). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."InP欧姆接触研究".应用科学学报 .01(1987). |
入库方式： OAI收割
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