InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭康瑾 ; 杜根娣 ; 吴征 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10~(-15)cm~2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10~(11)cm~(-2)eV~(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比I |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104010]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭康瑾,杜根娣,吴征. InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究[J]. 电子科学学刊,1991(06). |
| APA | 郭康瑾,杜根娣,&吴征.(1991).InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究.电子科学学刊(06). |
| MLA | 郭康瑾,et al."InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究".电子科学学刊 .06(1991). |
入库方式： OAI收割
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