InP系波导和光电探测器单片集成
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨易 ; 陈兴国 ; 程宗权 ; 王惠民 ; 吕章德 ; 蒋惠英 ; 王晨 ; 施惠英 ; 吴学海 ; 朱祖华 ; 胡征 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104011]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨易,陈兴国,程宗权,等. InP系波导和光电探测器单片集成[J]. 半导体学报,1996(01). |
| APA | 杨易.,陈兴国.,程宗权.,王惠民.,吕章德.,...&胡征.(1996).InP系波导和光电探测器单片集成.半导体学报(01). |
| MLA | 杨易,et al."InP系波导和光电探测器单片集成".半导体学报 .01(1996). |
入库方式： OAI收割
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