InP系量子阱相位调制器的理论设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈建新 ; 邬祥生 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文应用量子限制Ｓｔａｒｋ效应理论计算了ＩｎＰ系量子阱中激子的波函数及激子的能量．在此基础上，计算了不同电场条件下激子能量的红移，以及吸收系数的变化．然后，根据Ｋ－Ｋ关系计算了折射率的变化，得到了一定强度外电场条件下，折射率变化与波长、组份及阱宽的关系．按照我们的计算，折射率变化可达２．５４×１０－２． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104015]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈建新,邬祥生. InP系量子阱相位调制器的理论设计[J]. 半导体学报,1994(04). |
| APA | 陈建新,&邬祥生.(1994).InP系量子阱相位调制器的理论设计.半导体学报(04). |
| MLA | 陈建新,et al."InP系量子阱相位调制器的理论设计".半导体学报 .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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