LEC法GaAs中的Si与液封剂B_2O_3,H_2O间的相互作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章敏权 ; 邹元爔 ; 方敦辅 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0412-1961 |
| 中文摘要 | 本文利用文献报道的LEC法GaAs晶体中的Si,B的红外LVM吸收光谱和SIMS分析数据,作出三条lg[Si]-lg[B]直线,其斜率分别接近于4/3,2/3,1/2.本文结合晶体生长的不同工艺条件试用熔体中Si与B_2O_3,H_2O间的相互作用,解释斜率的差异. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104041]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章敏权,邹元爔,方敦辅. LEC法GaAs中的Si与液封剂B_2O_3,H_2O间的相互作用[J]. 金属学报,1985(01). |
| APA | 章敏权,邹元爔,&方敦辅.(1985).LEC法GaAs中的Si与液封剂B_2O_3,H_2O间的相互作用.金属学报(01). |
| MLA | 章敏权,et al."LEC法GaAs中的Si与液封剂B_2O_3,H_2O间的相互作用".金属学报 .01(1985). |
入库方式： OAI收割
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