LEC法生长掺In的半绝缘GaAs晶体
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫培根 ; 吴巨 ; 范向群 ; 周炎德 |
| 刊名 | 人工晶体
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| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | Z1 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 中文摘要 | <正> 近年,在 LEC 法生长半绝缘 GaAs 晶体的工艺中,通过掺入等电子元素 In 来降低位错密度,取得良好的结果。掺 In 的晶体,除位错密度降低外,它的电学性质、半绝缘的补偿机理没有发生变化,因而在研究 CaAs 集成电路衬底材料中,这工艺受到很大的重视。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104043]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫培根,吴巨,范向群,等. LEC法生长掺In的半绝缘GaAs晶体[J]. 人工晶体,1988(Z1). |
| APA | 莫培根,吴巨,范向群,&周炎德.(1988).LEC法生长掺In的半绝缘GaAs晶体.人工晶体(Z1). |
| MLA | 莫培根,et al."LEC法生长掺In的半绝缘GaAs晶体".人工晶体 .Z1(1988). |
入库方式： OAI收割
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