LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施惠英 ; 余海生 ; 任尧成 ; 蒋玉兰 ; 孙秋霞 ; 胡建 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104056]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施惠英,余海生,任尧成,等. LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响[J]. 稀有金属,1985(01). |
| APA | 施惠英,余海生,任尧成,蒋玉兰,孙秋霞,&胡建.(1985).LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响.稀有金属(01). |
| MLA | 施惠英,et al."LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响".稀有金属 .01(1985). |
入库方式： OAI收割
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