LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 励翠云 ; 彭瑞伍 ; 王洁 ; 徐晨梅 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 02587076 |
| 中文摘要 | 用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的Ｐ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ一Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104057]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 励翠云,彭瑞伍,王洁,等. LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究[J]. 稀有金属,1994(02). |
| APA | 励翠云,彭瑞伍,王洁,&徐晨梅.(1994).LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究.稀有金属(02). |
| MLA | 励翠云,et al."LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究".稀有金属 .02(1994). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。