MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 詹琰 ; 夏冠群 ; 赵福川 ; 李传海 ; 朱朝嵩 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104076]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹琰,夏冠群,赵福川,等. MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响[J]. 功能材料与器件学报,2000(03). |
| APA | 詹琰,夏冠群,赵福川,李传海,&朱朝嵩.(2000).MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 詹琰,et al."MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响".功能材料与器件学报 .03(2000). |
入库方式： OAI收割
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