MOCVD GaAs太阳电池的结特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施小忠 ; 夏冠群 ; 汪乐 ; 莫金玑 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数．结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大．暗电流随电池外延ｎ型层厚度的增大而减小．ＭＯＣＶＤ电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延ｎ型层厚度的增大而增强．ＭＯＣＶＤ电池比ＬＰＥ电池所能承受的反向电流密度大． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104095]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施小忠,夏冠群,汪乐,等. MOCVD GaAs太阳电池的结特性[J]. 半导体学报,1999(01). |
| APA | 施小忠,夏冠群,汪乐,&莫金玑.(1999).MOCVD GaAs太阳电池的结特性.半导体学报(01). |
| MLA | 施小忠,et al."MOCVD GaAs太阳电池的结特性".半导体学报 .01(1999). |
入库方式： OAI收割
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