MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韦光宇 ; 彭瑞伍 ; 任尧成 ; 丁永庆 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104098]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦光宇,彭瑞伍,任尧成,等. MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究[J]. 稀有金属,1992(06). |
| APA | 韦光宇,彭瑞伍,任尧成,&丁永庆.(1992).MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究.稀有金属(06). |
| MLA | 韦光宇,et al."MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究".稀有金属 .06(1992). |
入库方式： OAI收割
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