MOCVD法在含YSZ过渡层的Ni合金上制备YBCO薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周锷猷 ; 龚尚敏 ; 袁美萍 ; 王葛亚 ; 张宏 ; 毛应俊 ; 袁骏 ; 杨根庆 ; 柳襄怀 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 低温物理学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-3258 |
| 中文摘要 | 用ＭＯＣＶＤ多源法在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ复合衬底上沉积了厚～０．３μｍ的ＹＢＣＯ膜．ＹＳＺ过渡层分别用双离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）和金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）两种方法制备．结果表明，ＩＢＡＤ－ＹＳＺ过渡层的晶粒呈双轴择优取向结构，所沉积的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ０～９０Ｋ，Ｊｃ（７７，０Ｔ）～４．５×１０４Ａ／ｃｍ２，而ＭＯＣＶＤ－ＹＳＺ过渡层的晶粒取向为以（Ｌ００）为主的混向结构，在其上沉积的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ０～８９Ｋ，Ｊｃ（７７Ｋ，０Ｔ）～１．２×１０３Ａ／ｃｍ２．同时亦报导了在（１００）ＹＳＺ单晶片上 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104104]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周锷猷,龚尚敏,袁美萍,等. MOCVD法在含YSZ过渡层的Ni合金上制备YBCO薄膜[J]. 低温物理学报,1997(04). |
| APA | 周锷猷.,龚尚敏.,袁美萍.,王葛亚.,张宏.,...&邹世昌.(1997).MOCVD法在含YSZ过渡层的Ni合金上制备YBCO薄膜.低温物理学报(04). |
| MLA | 周锷猷,et al."MOCVD法在含YSZ过渡层的Ni合金上制备YBCO薄膜".低温物理学报 .04(1997). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。