Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁永庆 ; 苏建农 ; 王周成 ; 彭瑞伍 ; 陈纪安 ; 关振东 ; 杨臣华 |
| 刊名 | 上海金属
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1001-7208 |
| 中文摘要 | 用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S.E.M和电子衍射以及用X射线能谱进行了研究 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104105]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁永庆,苏建农,王周成,等. Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究[J]. 上海金属,1987(05). |
| APA | 丁永庆.,苏建农.,王周成.,彭瑞伍.,陈纪安.,...&杨臣华.(1987).Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究.上海金属(05). |
| MLA | 丁永庆,et al."Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究".上海金属 .05(1987). |
入库方式： OAI收割
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