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MOCVD化合物半导体材料及其应用

文献类型:期刊论文

作者彭瑞伍 ; 胡金波
刊名稀有金属
出版日期1998
期号03
ISSN号0258-7076
中文摘要总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展,重点为MOCVD化学、ⅢⅤ族和ⅡⅥ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用。为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议。
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104107]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
彭瑞伍,胡金波. MOCVD化合物半导体材料及其应用[J]. 稀有金属,1998(03).
APA 彭瑞伍,&胡金波.(1998).MOCVD化合物半导体材料及其应用.稀有金属(03).
MLA 彭瑞伍,et al."MOCVD化合物半导体材料及其应用".稀有金属 .03(1998).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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