中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
MOCVD外延生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Sb_y半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报

文献类型:期刊论文

作者严六明 ; 胡英 ; 吴伟 ; 陈念贻 ; 彭瑞伍
刊名功能材料
出版日期1997
期号04
ISSN号1001-9731
中文摘要本文研究了MOCVD外延生长Ga1-xAlxAs1-ySby半导体薄膜的生长条件与外延层组成的关系,并用人工神经网络法总结有关气固平衡规律。结果表明,用气相组成,载气流量和生长温度等影响外延层组成的主要参数作为人工神经网络的输入,以固相Ga1-xAlxAs1-ySby中的Al和Sb的含量x、y作为输出,训练的人工神经网络可以预报固相组成x、y,得到满意结果。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104110]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
严六明,胡英,吴伟,等. MOCVD外延生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Sb_y半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报[J]. 功能材料,1997(04).
APA 严六明,胡英,吴伟,陈念贻,&彭瑞伍.(1997).MOCVD外延生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Sb_y半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报.功能材料(04).
MLA 严六明,et al."MOCVD外延生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Sb_y半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报".功能材料 .04(1997).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。