MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网络研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 严六明 ; 吴伟 ; 彭瑞伍 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外延层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量、Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外延层组成的主要因素。用这些参数作特征变量，以外延层铟含量是否大于０６、锑含量是否大于０４作为分类标准，可得到良好的模式识别分类效果和人工神经网络交叉检验结果。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104111]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 严六明,吴伟,彭瑞伍. MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网络研究[J]. 稀有金属,1997(04). |
| APA | 严六明,吴伟,&彭瑞伍.(1997).MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网络研究.稀有金属(04). |
| MLA | 严六明,et al."MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网络研究".稀有金属 .04(1997). |
入库方式： OAI收割
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