MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙一军 ; 夏冠群 ; 张良莹 ; 姚熹 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明，热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104112]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙一军,夏冠群,张良莹,等. MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究[J]. 半导体学报,1999(04). |
| APA | 孙一军,夏冠群,张良莹,&姚熹.(1999).MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究.半导体学报(04). |
| MLA | 孙一军,et al."MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究".半导体学报 .04(1999). |
入库方式： OAI收割
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