N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐强 ; 徐元森 ; 龙伟 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | K1 硅氧化 重掺杂 氟化氢 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 其他题名 | T1 N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二 |
| 中文摘要 | 本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104127]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐强,徐元森,龙伟. N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二[J]. 半导体学报,1990(09). |
| APA | 徐强,徐元森,&龙伟.(1990).N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二.半导体学报(09). |
| MLA | 徐强,et al."N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二".半导体学报 .09(1990). |
入库方式： OAI收割
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