N~+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张顺开 ; 林成鲁 ; 周祖尧 ; 朱文化 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 对注N~+形成的SOI材料,在不同条件下注入Si~+,分别使上层硅的表面、与埋层的界面及整个上层硅区域无定形化;再注入B~+:能量为25keV,剂量为1×10~(15)/cm~2,并在500—900℃的温度范围内退火30min。掠角背散射沟道测试表明:上层硅的表面或与埋层的界面区域被无定形化后,在后续热退火过程中分别存在由上层硅的内部向表面及由表面向内的固相外延过程;当上层硅被全部无定形化后,在500—600℃的温度范围内,上层硅由无定形相转变成多晶相,改变退火温度没有出现固相外延过程;扩展电阻测试发现: |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104128]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张顺开,林成鲁,周祖尧,等. N~+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究[J]. 核技术,1992(03). |
| APA | 张顺开,林成鲁,周祖尧,朱文化,&邹世昌.(1992).N~+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究.核技术(03). |
| MLA | 张顺开,et al."N~+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究".核技术 .03(1992). |
入库方式： OAI收割
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