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NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究

文献类型:期刊论文

作者卢志红 ; 邱进军 ; 荀坤 ; 吴丹丹 ; 姚新华 ; 熊锐 ; 周健 ; 李佐宜 ; 沈德芳
刊名功能材料与器件学报
出版日期1998
期号04
ISSN号1007-4252
中文摘要用直流磁控反应溅射制备NiO/NiFe双层膜。在保持NiFe层的厚度20nm不变的条件下,发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性,由于底盘旋转等因素的影响,NiO(70nm)/NiFe(20nm)双层结构仍显示较好的单向各向异性,交换耦合场可达30Oe以上。通过改变NiO层的厚度、溅射气体Ar分压以及溅射气体与反应气体的比例Ar/O2,研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104161]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
卢志红,邱进军,荀坤,等. NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究[J]. 功能材料与器件学报,1998(04).
APA 卢志红.,邱进军.,荀坤.,吴丹丹.,姚新华.,...&沈德芳.(1998).NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究.功能材料与器件学报(04).
MLA 卢志红,et al."NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究".功能材料与器件学报 .04(1998).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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