NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究
文献类型:期刊论文
作者 | 卢志红 ; 邱进军 ; 荀坤 ; 吴丹丹 ; 姚新华 ; 熊锐 ; 周健 ; 李佐宜 ; 沈德芳 |
刊名 | 功能材料与器件学报
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出版日期 | 1998 |
期号 | 04 |
ISSN号 | 1007-4252 |
中文摘要 | 用直流磁控反应溅射制备NiO/NiFe双层膜。在保持NiFe层的厚度20nm不变的条件下,发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性,由于底盘旋转等因素的影响,NiO(70nm)/NiFe(20nm)双层结构仍显示较好的单向各向异性,交换耦合场可达30Oe以上。通过改变NiO层的厚度、溅射气体Ar分压以及溅射气体与反应气体的比例Ar/O2,研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104161] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢志红,邱进军,荀坤,等. NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究[J]. 功能材料与器件学报,1998(04). |
APA | 卢志红.,邱进军.,荀坤.,吴丹丹.,姚新华.,...&沈德芳.(1998).NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究.功能材料与器件学报(04). |
MLA | 卢志红,et al."NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究".功能材料与器件学报 .04(1998). |
入库方式: OAI收割
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