NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 竺士炀 ; 李金华 ; 林成鲁 ; 高剑侠 ; 严荣良 ; 任迪远 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | CN 311342TL |
| 中文摘要 | 对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ和ＮＭＯＳＩ体硅的辐照效应作了比较，结果表明前者抗总剂量辐照性能不如后者。对引起阈值电压漂移的两个因素（氧化层电荷和界面态电荷）和提高ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ抗辐照性能的几点措施进行了讨论． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104167]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竺士炀,李金华,林成鲁,等. NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性[J]. 核技术,1995(06). |
| APA | 竺士炀,李金华,林成鲁,高剑侠,严荣良,&任迪远.(1995).NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性.核技术(06). |
| MLA | 竺士炀,et al."NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性".核技术 .06(1995). |
入库方式： OAI收割
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