N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; 陈芬扣 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1980 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并结合溶解度的实验和热力学活度的计算进行了讨论.分析了各组份对欧姆接触比接触电阻的影响. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104170]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,陈芬扣. N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响[J]. 半导体学报,1980(02). |
| APA | 吴鼎芬,&陈芬扣.(1980).N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响.半导体学报(02). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响".半导体学报 .02(1980). |
入库方式： OAI收割
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