PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾天亮 ; 陈平 ; 江志庚 ; 李志彭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3％)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104184]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾天亮,陈平,江志庚,等. PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用[J]. 半导体学报,1992(06). |
| APA | 曾天亮,陈平,江志庚,&李志彭.(1992).PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.半导体学报(06). |
| MLA | 曾天亮,et al."PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用".半导体学报 .06(1992). |
入库方式： OAI收割
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