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p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用

文献类型:期刊论文

作者张桂成 ; 程宗权 ; 蒋惠英 ; 俞志中
刊名电子科学学刊
出版日期1990
期号02
关键词K1 比接触电阻 合金化 互扩散
ISSN号1009-5896
其他题名T1 p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用
中文摘要本文研究了p-InP/Ag-zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP边发光管的p面电极,器件的Rs(?)4—6Ω。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104191]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
张桂成,程宗权,蒋惠英,等. p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用[J]. 电子科学学刊,1990(02).
APA 张桂成,程宗权,蒋惠英,&俞志中.(1990).p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用.电子科学学刊(02).
MLA 张桂成,et al."p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用".电子科学学刊 .02(1990).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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