p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张桂成 ; 水海龙 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | <正> (一)引言 近年来InP在光电和微波器件中的应用已引起广泛重视。对InP的欧姆接触和肖特基势垒已有报道,这些结果表明,φ_(Bp)较φ_(Bn)大,n-InP的比接触电阻较p-lnP的低。以InP为衬底的多层结构器件中,表面层有时是p-InP,因此研究p-InP与接触金属界面上的冶金行为和电学特性,对改善器件参数和提高器件的可靠性有实际意义。对p-InP与接触金属Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇电子能谱(AES)和电子探针(EP)进行的研究结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104192]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张桂成,水海龙. p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性[J]. 电子科学学刊,1984(02). |
| APA | 张桂成,&水海龙.(1984).p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性.电子科学学刊(02). |
| MLA | 张桂成,et al."p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性".电子科学学刊 .02(1984). |
入库方式： OAI收割
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