PLZT薄膜的溅射沉积和热处理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷永明 ; 徐梅娣 ; 郭懋端 |
| 刊名 | 上海工程技术大学学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1009-444X |
| 中文摘要 | 用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相和钙钛矿相的转变，实验表明氧气氛下由常规退火（LFA）和快速退火（RTA）可形成钙钛矿相PLZT薄膜。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104196]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷永明,徐梅娣,郭懋端. PLZT薄膜的溅射沉积和热处理[J]. 上海工程技术大学学报,1999(04). |
| APA | 雷永明,徐梅娣,&郭懋端.(1999).PLZT薄膜的溅射沉积和热处理.上海工程技术大学学报(04). |
| MLA | 雷永明,et al."PLZT薄膜的溅射沉积和热处理".上海工程技术大学学报 .04(1999). |
入库方式： OAI收割
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