PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何德湛 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 本文从四层器件PNPN管原理,分析了CMOS电路中寄生PNPN管效应的现象,从原理上指出,(1)输出端较易触发此寄生管效应的原因。(2)触发导通是从共基极触发方式转为共发射极触发。触发时,n沟源区(或P沟源区)受反向偏置,只有触发过后,才有大电流流经此区。(3)版图没计中,输入端至地的保护两极管,为什么单独在一个小p阱上比与n沟源、漏区同在一个p阱上,能减少寄生效应。(4)在倒相器的I-V负阻闸流特性曲线中,输入端分别接V_(DD)和V_(ss)时,为什么会出现维持电流I_H数值会不相等现象,其相差值在1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104197]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何德湛. PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用[J]. 半导体技术,1990(01). |
| APA | 何德湛.(1990).PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用.半导体技术(01). |
| MLA | 何德湛."PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用".半导体技术 .01(1990). |
入库方式： OAI收割
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