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Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究

文献类型:期刊论文

作者郭康瑾 ; 胡维央 ; 姚文兰 ; 陈莲勇
刊名电子科学学刊
出版日期1992
期号05
ISSN号1009-5896
中文摘要Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5~3×10~(15)cm~(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10~(15)cm~(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600(?)移动到8835(?),截止波长可延伸到9700(?),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104203]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
郭康瑾,胡维央,姚文兰,等. Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究[J]. 电子科学学刊,1992(05).
APA 郭康瑾,胡维央,姚文兰,&陈莲勇.(1992).Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究.电子科学学刊(05).
MLA 郭康瑾,et al."Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究".电子科学学刊 .05(1992).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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