P型InP欧姆接触特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 水海龙 ; 徐少华 ; 胡道珊 ; 张挂成 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | <正> 一、引言随着InP光电器件的发展,尤其是长波长InGaAsP/InP异质结的光源器件和探测器的进展,对P型InP(InGaAsP)材料的欧姆接触特性的研究日益令人感到兴趣。以往的工作中广泛采用Au-Zn合金作为欧姆接触材料,该合金虽能使较低受主浓度的P-InP衬底或外延层形成欧姆接触电极,但它的缺点是与衬底的粘附性差易于剥落,而且它的接触电阻率也偏高(10~(-2)～10~(-3)Ω·cm~2)。本文目的是探索对P-InP新的欧姆接触材料,实验比较了Au-Zn、Ti-Au-Zn和 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104213]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水海龙,徐少华,胡道珊,等. P型InP欧姆接触特性的研究[J]. 半导体光电,1981(02). |
| APA | 水海龙,徐少华,胡道珊,&张挂成.(1981).P型InP欧姆接触特性的研究.半导体光电(02). |
| MLA | 水海龙,et al."P型InP欧姆接触特性的研究".半导体光电 .02(1981). |
入库方式： OAI收割
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