RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李伟 ; 赵智彪 ; 郑燕兰 ; 李存才 ; 杨全魁 ; 胡建 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明，Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104219]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李伟,赵智彪,郑燕兰,等. RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究[J]. 功能材料与器件学报,1999(03). |
| APA | 李伟.,赵智彪.,郑燕兰.,李存才.,杨全魁.,...&李爱珍.(1999).RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 李伟,et al."RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究".功能材料与器件学报 .03(1999). |
入库方式： OAI收割
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