S.I.GaAs中高能Mg~+单注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入的特性及应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧海疆 ; 蒋新元 ; 赵崎华 ; 王渭源 |
| 刊名 | 真空科学与技术
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| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 本工作测量了S. I. GaAs中高能Mg+注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入退火后的特性。实验表明,在双注入的情况下,由注入Si+形成的有源层,其电子浓度分布受高能注入Mg~+隐埋层调节;利用Mg隐埋层,消除了Si~+注入退火后的载流子分布尾,从而制得了跨导较高的GaAs MESFET,并改善了阈值电压均匀性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104223]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧海疆,蒋新元,赵崎华,等. S.I.GaAs中高能Mg~+单注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入的特性及应用[J]. 真空科学与技术,1987(05). |
| APA | 欧海疆,蒋新元,赵崎华,&王渭源.(1987).S.I.GaAs中高能Mg~+单注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入的特性及应用.真空科学与技术(05). |
| MLA | 欧海疆,et al."S.I.GaAs中高能Mg~+单注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入的特性及应用".真空科学与技术 .05(1987). |
入库方式： OAI收割
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