SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨平雄 ; 郑立荣 ; 王连卫 ; 林成鲁 ; 周宁生 ; 陆怀先 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0258-7025 |
| 中文摘要 | 采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的方形电滞回线，其剩余极化Ｐｒ和矫顽电场Ｅｃ分别为８．４μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104225]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨平雄,郑立荣,王连卫,等. SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备[J]. 中国激光,1997(05). |
| APA | 杨平雄,郑立荣,王连卫,林成鲁,周宁生,&陆怀先.(1997).SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备.中国激光(05). |
| MLA | 杨平雄,et al."SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备".中国激光 .05(1997). |
入库方式： OAI收割
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