SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜建东 ; 孙承龙 ; 王渭源 ; 王德宁 |
| 刊名 | 微细加工技术
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 反应离子刻蚀 各向异性深刻蚀硅 聚合物掩蔽膜 蚀刻速率 蚀刻形貌 |
| ISSN号 | 10038213 |
| 其他题名 | T1 SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究 |
| 中文摘要 | 用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104227]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜建东,孙承龙,王渭源,等. SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究[J]. 微细加工技术,1994(04). |
| APA | 姜建东,孙承龙,王渭源,&王德宁.(1994).SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究.微细加工技术(04). |
| MLA | 姜建东,et al."SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究".微细加工技术 .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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