Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛蒙年 ; 丁辛芳 ; 童勤义 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104231]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛蒙年,丁辛芳,童勤义. Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响[J]. 半导体学报,1996(07). |
| APA | 牛蒙年,丁辛芳,&童勤义.(1996).Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响.半导体学报(07). |
| MLA | 牛蒙年,et al."Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响".半导体学报 .07(1996). |
入库方式： OAI收割
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