Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗朝渭 ; 乔墉 ; 陈庆贵 ; 蔡希介 ; 史日华 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 本文研究Si~+室温深注入(150～160keV,1～3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜表面结晶质量的工艺.180keVH~+沟道效应—背散射测量表明,两步Si~+注入和两步退火团相外延再生长工艺能够有效地改善SOS膜结晶质量°表面归一化最小产额x_o、界面最小产额x_i 和退道率dx/dz分别减小到0.06、0.1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104233]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗朝渭,乔墉,陈庆贵,等. Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量[J]. 固体电子学研究与进展,1986(01). |
| APA | 罗朝渭,乔墉,陈庆贵,蔡希介,&史日华.(1986).Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量.固体电子学研究与进展(01). |
| MLA | 罗朝渭,et al."Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量".固体电子学研究与进展 .01(1986). |
入库方式： OAI收割
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