SI-GaAs光电导和光霍尔特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟金权 ; 谭丽芳 ; 廖丽英 ; 汪乐 ; 陈正秀 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | <正>研制了一套半绝缘半导体光电导率(PC)和光霍尔特性(PH)测试系统。应用该系统测量了多种类型SI-GaAs体单晶室温和77K的光电导特性及典型样品的室温光霍尔特性,对获得的谱线特征从Cr和O能级的角度作了分析讨论。 测试系统使用的光源波长范围是0.6～2μm,对应光子能量约为2.0～0.6eV,在此范围内,通过标定750W卤钨灯的光谱分布和改变灯源热丝电流的办法保证单色光为等 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104236]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟金权,谭丽芳,廖丽英,等. SI-GaAs光电导和光霍尔特性研究[J]. 应用科学学报,1984(03). |
| APA | 钟金权,谭丽芳,廖丽英,汪乐,&陈正秀.(1984).SI-GaAs光电导和光霍尔特性研究.应用科学学报(03). |
| MLA | 钟金权,et al."SI-GaAs光电导和光霍尔特性研究".应用科学学报 .03(1984). |
入库方式： OAI收割
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