SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李金华 ; 林成鲁 ; 林梓鑫 ; 薛才广 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | SIMNI样品在不同温度下作不同时间的N_2,O_2,H_2+ O_2的退火、氧化或外延,以考察SIMNI/SOI结构的工艺稳定性.不同注入剂量的 SIMNI样品在 1000-1200℃的 H_2气氛中烘烤,以考祭高温H_2对该结构的影响.实验结果表明,在高温下,N_2、O_2、H_2+O_2等工艺气氛中,SIMNI结构的电学性质、埋层厚度等都稳定可靠;高温H_2对SIMNI结构的表层Si和埋层Si_3N_4 都有损伤作用.实验指出,提高注N~+剂量有助于提高SIMNI/SOI结构在高温H_2中的稳定性. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104239]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金华,林成鲁,林梓鑫,等. SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性[J]. 半导体学报,1992(01). |
| APA | 李金华,林成鲁,林梓鑫,薛才广,&邹世昌.(1992).SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性.半导体学报(01). |
| MLA | 李金华,et al."SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性".半导体学报 .01(1992). |
入库方式： OAI收割
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