SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 俞跃辉 ; 方子韦 ; 张顺开 ; 倪如山 ; 邹世昌 ; 李金华 ; P.L.F.Hemment |
| 刊名 | 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)
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| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 09 |
| ISSN号 | 1006-9232 |
| 中文摘要 | 本文研究了利用大剂量的N~+和O~+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法. |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104240]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,俞跃辉,方子韦,等. SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究[J]. 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学),1990(09). |
| APA | 林成鲁.,俞跃辉.,方子韦.,张顺开.,倪如山.,...&P.L.F.Hemment.(1990).SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究.中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)(09). |
| MLA | 林成鲁,et al."SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究".中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) .09(1990). |
入库方式： OAI收割
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