SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 周伟 ; 邹世昌 ; P.L.F.Hemment |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | K1 SIMOX薄膜材料 TiSi_2 砷的堆积 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10~(20)/cm~3,获得了一种TiSi_2/n~+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104244]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,周伟,邹世昌,等. SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究[J]. 半导体学报,1990(06). |
| APA | 林成鲁,周伟,邹世昌,&P.L.F.Hemment.(1990).SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究.半导体学报(06). |
| MLA | 林成鲁,et al."SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究".半导体学报 .06(1990). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。