SIMOX材料制备中注入剂量优化研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 奚雪梅 ; 李映雪 ; 赵清太 ; 王阳元 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | K1 SIMOX制备 注入剂量优化 埋氧化层微结构 |
| ISSN号 | 03722112 |
| 中文摘要 | 本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛；标准注入剂量（１．８ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２）形成的ＳＩＭＯＸ材料表层硅出现明显的缺陷，分析结果表明，注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留，成为最终材料表面缺陷 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104247]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奚雪梅,李映雪,赵清太,等. SIMOX材料制备中注入剂量优化研究[J]. 电子学报,1996(11). |
| APA | 奚雪梅,李映雪,赵清太,王阳元,&林成鲁.(1996).SIMOX材料制备中注入剂量优化研究.电子学报(11). |
| MLA | 奚雪梅,et al."SIMOX材料制备中注入剂量优化研究".电子学报 .11(1996). |
入库方式： OAI收割
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