SIMOX材料注F~+后的SIMS分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾健 ; 高剑侠 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 F离子注入 SIMOX 材料 SIMS分析 抗辐射 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ （注氧隔离硅） 材料中， 注入剂量分别为５×１０１２Ｆ＋ ／ｃｍ ２，５×１０１３Ｆ＋ ／ｃｍ ２， １×１０１５Ｆ＋ ／ｃｍ ２， 用ＳＩＭＳ技术分析了Ｆ在材料中的浓度分布， 结果表明， 随着注Ｆ＋能量和剂量的改变， Ｆ＋ 在材料中的深度分布也相应改变 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104248]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾健,高剑侠. SIMOX材料注F~+后的SIMS分析[J]. 半导体技术,1999(05). |
| APA | 曾健,&高剑侠.(1999).SIMOX材料注F~+后的SIMS分析.半导体技术(05). |
| MLA | 曾健,et al."SIMOX材料注F~+后的SIMS分析".半导体技术 .05(1999). |
入库方式： OAI收割
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