SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 倪如山 ; 朱文化 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 分析测试学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 10044957 |
| 中文摘要 | 以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104251]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪如山,朱文化,林成鲁. SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究[J]. 分析测试学报,1994(05). |
| APA | 倪如山,朱文化,&林成鲁.(1994).SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究.分析测试学报(05). |
| MLA | 倪如山,et al."SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究".分析测试学报 .05(1994). |
入库方式： OAI收割
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